SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI3464DV-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.62 |
10+ | $0.532 |
100+ | $0.3969 |
500+ | $0.3118 |
1000+ | $0.241 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 2W (Ta), 3.6W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1065 pF @ 10 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Grundproduktnummer | SI3464 |
SI3464DV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI3464DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
Si3464DV Vishay
802.3AT SINGLE ETHERNET PORT PSE
SI3461DV-T1-E3 VISHAY
SI3467DV VISHAY
BOARD EVAL POE PSE SGL PORT
VISHAY SOT163
VISHAY SOT23-6
802.3AT SINGLE ETHERNET PORT PSE
SI3461DVT1-GE3 VISHAY
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Son TSOP-6
MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP
MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP
MOSFET P-CH 20V 3.8A 6TSOP
MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP
MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP
IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
VISHAY TSOP-6
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
2023/12/20
2024/04/27
2025/01/27
2024/01/31
SI3464DV-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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